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IXFB52N90P
70
60
Fig. 7. Input Admittance
70
60
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
50
50
25oC
40
T J = 125oC
25oC
40
30
20
10
0
- 40oC
30
20
10
0
125oC
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
140
120
100
80
60
14
12
10
8
6
V DS = 450V
I D = 26A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
Ciss
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
f = 1 MHz
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_52N90P(97)10-24-08
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